Intel表示,此前的工艺节点命名规则始于1997年,都是以实际的栅极宽度来定义(xxnm),但是近些年来,工艺命名和栅极宽度已经不匹配,因此Intel启用了新的命名方式,便于产业、客户、消费者理解。
Intel 4工艺全面引入EUV极紫外光刻,能效比再提升大约20%,明年下半年投产,2023年产品上市。
首发消费级产品是Meteor Lake,已在今年第二季度完成计算单元的六篇,数据中心产品则是Granite Rapids。
今天的会议上,Intel也首次展示了Meteor Lake的测试晶圆,除了新工艺还有Foveros 3D立体封装。
这一代,也将是Intel消费级处理器第一次放弃完整的单颗芯片,引入不同工艺、不同IP的模块,借助新的封装技术,整合在一起。
再往后,Intel 3工艺进一步优化FinFET、提升EUV,能效比继续提升大约18%,还有面积优化,2023年下半年投产。
之后就是后纳米时代了,工艺命名又改了新的规则,首先是Intel 20A,拥有两项性技术,RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管,PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线,改用后置供电,也可以优化信号传输。2024年投产。